Yeni enerji IGBT modülünün termal çözümü

Yeni enerji dönüştürme ve iletiminin temel aygıtı olan IGBT modülünün güç aralığı, elektrikli elektronik aygıtın "CPU"su olan yüzlerce watt ile birkaç mega watt arasındadır. Endüstriyel otomasyon ekipmanları, ev aletleri, demiryolu taşımacılığı ve yeni enerji alanları gibi genel sürücülerin ve yenilenebilir enerjinin uygulanmasıdır.

 IGBT modülündeki ısı emiciler

   IGBT modülünün akımı ne kadar büyük olursa, anahtarlama frekansı o kadar yüksek olur ve modülün termal güç tüketimi o kadar yüksek olur. Sonuç olarak, IGBT modülünün kaybı büyük olacak ve cihaz sıcaklığı çok yüksek olacaktır.

Sıcaklık çok yüksekse modülün verimi düşer ve ardından tüm iş akışı etkilenir.

Özellikle sürekli çalışması gereken bileşenlerde, IGBT modülü garantiyi yerine getirmek için iyi bir termal soğutma sistemine ihtiyaç duyar.

IGBT modülünün zayıf ısı dağılımı, doğrudan hasara neden olacak ve tüm makinenin çalışmasını etkileyecektir.

Genel olarak, silikon cihazlara dayalı güç elektroniği cihazları 125 °C'nin altında çalışmalıdır ve IGBT'ler 150 °C'nin altında çalışmalıdır; bu, gelecekteki silisyum karbür cihazlar için 200 °C'ye kadar uzatılabilir.

Güç elektroniğinin termal yönetimi, genellikle IGBT'yi soğutucuya bağlamak için termal iletken arayüz malzemelerinin kullanılmasını gerektirir ve arayüz, genel termal empedans ve uzun vadeli performansta kritik bir rol oynar.

IGBT modülü temel olarak bir çip, doğrudan bakır kaplı seramik katman ve bir alt tabakadan oluşur. Ara katman lehim ile kaynaklanır ve alt tabaka genellikle radyatöre termal gres ile bağlanır. Düşük termal dirence, yüksek güvenilirliğe sahiptir ve uzun süre yüksek sıcaklığa maruz kaldığında buharlaşmaz ve sertleşmez. Yeni enerji araç IGBT soğutması için iyi bir seçimdir.